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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > HN4A56JU(TE85L,F)
HN4A56JU(TE85L,F)
Modelo do Produto:
HN4A56JU(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12098 Pieces
Ficha de dados:
HN4A56JU(TE85L,F).pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor:2 PNP (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:USV
Série:-
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Outros nomes:HN4A56JU(TE85LF)TR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Número de peça do fabricante:HN4A56JU(TE85L,F)
Frequência - Transição:60MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 60MHz 200mW Surface Mount USV
Descrição:TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:120 @ 2mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):150mA
Email:[email protected]

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Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
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