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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > HN4B01JE(TE85L,F)
HN4B01JE(TE85L,F)
HN4B01JE(TE85L,F)
Modelo do Produto:
HN4B01JE(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15263 Pieces
Ficha de dados:
HN4B01JE(TE85L,F).pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor:NPN, PNP (Emitter Coupled)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ESV
Série:-
Power - Max:100mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-553
Outros nomes:HN4B01JE (TE85L,F)
HN4B01JE(TE85LF)TR
HN4B01JETE85LF
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:HN4B01JE(TE85L,F)
Frequência - Transição:80MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ESV
Descrição:TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:120 @ 10MA, 100MA
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):150mA
Email:[email protected]

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