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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > HN4C06J-BL(TE85L,F
HN4C06J-BL(TE85L,F
Modelo do Produto:
HN4C06J-BL(TE85L,F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
TRANS 2 NPN 120V 100MA SC74A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19166 Pieces
Ficha de dados:
HN4C06J-BL(TE85L,F.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):120V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor:2 NPN (Dual) Common Emitter
Embalagem do dispositivo fornecedor:SMV
Série:-
Power - Max:300mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-74A, SOT-753
Outros nomes:HN4C06J-BL(TE85LFTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Número de peça do fabricante:HN4C06J-BL(TE85L,F
Frequência - Transição:100MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Emitter 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
Descrição:TRANS 2 NPN 120V 100MA SC74A
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
PUMZ2,125 Image PUMZ2,125 Nexperia USA Inc. TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6TSSOP inquérito
2N6990 Image 2N6990 Microsemi Corporation TRANS 4NPN 50V 0.8A inquérito
ZDT619TA Image ZDT619TA Diodes Incorporated TRANS 2NPN 50V 2A SM8 inquérito
ZDT749TA Image ZDT749TA Diodes Incorporated TRANS 2PNP 25V 2A SM8 inquérito
PBSS5160PAP,115 Image PBSS5160PAP,115 Nexperia USA Inc. TRANS 2PNP 60V 1A 6HUSON inquérito
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MBT3946DW1T1G Image MBT3946DW1T1G ON Semiconductor TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88 inquérito

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