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HN4K03JUTE85LF
- Modelo do Produto:
- HN4K03JUTE85LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15616 Pieces
- Ficha de dados:
- HN4K03JUTE85LF.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para HN4K03JUTE85LF, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para HN4K03JUTE85LF por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | USV |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 12 Ohm @ 10mA, 2.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 200mW (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Outros nomes: | HN4K03JU(TE85L,F) HN4K03JUTE85LFTR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | HN4K03JUTE85LF |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 8.5pF @ 3V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 20V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount USV |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 20V 0.1A USV |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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