HS8K11TB
HS8K11TB
Modelo do Produto:
HS8K11TB
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18415 Pieces
Ficha de dados:
HS8K11TB.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:HSML3030L10
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:17.9 mOhm @ 7A, 10V
Power - Max:2W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-UDFN Exposed Pad
Outros nomes:HS8K11TBTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:HS8K11TB
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:500pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11.1nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A, 11A 2W Surface Mount HSML3030L10
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7A, 11A
Email:[email protected]

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