HUFA76629D3ST
HUFA76629D3ST
Modelo do Produto:
HUFA76629D3ST
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17556 Pieces
Ficha de dados:
HUFA76629D3ST.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252AA
Série:UltraFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:52 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):110W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:HUFA76629D3ST
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1285pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:46nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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