IMD14T108
IMD14T108
Modelo do Produto:
IMD14T108
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13513 Pieces
Ficha de dados:
IMD14T108.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SMT6
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):10k
Resistor - Base (R1) (Ohms):220
Power - Max:300mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-74, SOT-457
Outros nomes:IMD14T108-ND
IMD14T108TR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IMD14T108
Frequência - Transição:250MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Descrição:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:82 @ 100mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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