IMD3AT108
IMD3AT108
Modelo do Produto:
IMD3AT108
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12993 Pieces
Ficha de dados:
IMD3AT108.pdf

Introdução

BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IMD3AT108, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IMD3AT108 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Comprar IMD3AT108 com BYCHPS
Compre com garantia

Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SMT6
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):10k
Resistor - Base (R1) (Ohms):10k
Power - Max:300mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-74, SOT-457
Outros nomes:IMD3AT108TR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:IMD3AT108
Frequência - Transição:250MHz
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Descrição:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações