IMH21T110 - Rohm Semiconductor - Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende IMH21T110

IMH21T110

Modelo do Produto:: IMH21T110

Fabricante:: LAPIS Semiconductor

Descrição:: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

Status sem chumbo / Status RoHS:: Sem chumbo / acordo com RoHS

Quantidade disponível:: 15355 Pieces

Ficha de dados:: IMH21T110.pdf

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):	20V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:	150mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:	SMT6
Série:	-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):	-
Resistor - Base (R1) (Ohms):	10k
Power - Max:	300mW
Embalagem:	Original-Reel®
Caixa / Gabinete:	SC-74, SOT-457
Outros nomes:	IMH21T110DKR
Tipo de montagem:	Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):	1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:	10 Weeks
Número de peça do fabricante:	IMH21T110
Frequência - Transição:	150MHz
Descrição expandida:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 150MHz 300mW Surface Mount SMT6
Descrição:	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:	820 @ 50mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):	500nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):	600mA
Email:	[email protected]

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