IMN11T110
IMN11T110
Modelo do Produto:
IMN11T110
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13976 Pieces
Ficha de dados:
IMN11T110.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.2V @ 100mA
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):80V
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-SMD
Velocidade:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):4ns
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-74, SOT-457
Outros nomes:IMN11T110-ND
IMN11T110TR
Temperatura de Operação - Junção:150°C (Max)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:IMN11T110
Descrição expandida:Diode Array 2 Pair Common Cathode Standard 80V 100mA Surface Mount SC-74, SOT-457
Tipo Diode:Standard
configuração de diodo:2 Pair Common Cathode
Descrição:DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD
Atual - dispersão reversa @ Vr:100nA @ 70V
Atual - rectificada média (Io) (por Diode):100mA
Email:[email protected]

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