IPA90R1K2C3
IPA90R1K2C3
Modelo do Produto:
IPA90R1K2C3
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14327 Pieces
Ficha de dados:
IPA90R1K2C3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 310µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO220-FP
Série:CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
Dissipação de energia (Max):31W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:IPA90R1K2C3XKSA1
Q4141204
SP000413714
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:IPA90R1K2C3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:710pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 900V 5.1A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):900V
Descrição:MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5.1A (Tc)
Email:[email protected]

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