IPB180P04P403ATMA1
IPB180P04P403ATMA1
Modelo do Produto:
IPB180P04P403ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET P-CH TO263-7
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15365 Pieces
Ficha de dados:
IPB180P04P403ATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 410µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO263-7-3
Série:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.8 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max):150W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Outros nomes:SP000840202
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Número de peça do fabricante:IPB180P04P403ATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:17640pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:250nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 40V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição:MOSFET P-CH TO263-7
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

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