IPB60R299CP
IPB60R299CP
Modelo do Produto:
IPB60R299CP
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16337 Pieces
Ficha de dados:
IPB60R299CP.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 440µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO263-3-2
Série:CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:299 mOhm @ 6.6A, 10V
Dissipação de energia (Max):96W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:IPB60R299CP-ND
IPB60R299CPATMA1
SP000301161
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IPB60R299CP
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 11A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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