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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPC100N04S51R9ATMA1
IPC100N04S51R9ATMA1
IPC100N04S51R9ATMA1
Modelo do Produto:
IPC100N04S51R9ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
N-CHANNEL_30/40V
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14365 Pieces
Ficha de dados:
IPC100N04S51R9ATMA1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.4V @ 50µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TDSON-8-34
Série:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.9 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max):100W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:IPC100N04S51R9ATMA1TR
SP001360564
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:IPC100N04S51R9ATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3770pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 40V 100A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):7V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição:N-CHANNEL_30/40V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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