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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPD031N03LGATMA1
IPD031N03LGATMA1
IPD031N03LGATMA1
Modelo do Produto:
IPD031N03LGATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18351 Pieces
Ficha de dados:
IPD031N03LGATMA1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO252-3
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.1 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):94W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:IPD021N03LGINCT
IPD021N03LGINCT-ND
IPD031N03LGINCT
IPD031N03LGINCT-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IPD031N03LGATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5300pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:51nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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