IPD06N03LB G
IPD06N03LB G
Modelo do Produto:
IPD06N03LB G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18715 Pieces
Ficha de dados:
IPD06N03LB G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 40µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO252-3
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6.1 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max):83W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:IPD06N03LBGINDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IPD06N03LB G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 50A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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