IPD100N06S403ATMA1
IPD100N06S403ATMA1
Modelo do Produto:
IPD100N06S403ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13382 Pieces
Ficha de dados:
IPD100N06S403ATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 90µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO252-3-11
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.5 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max):150W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:IPD100N06S4-03
IPD100N06S4-03-ND
SP000415576
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IPD100N06S403ATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:10400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:128nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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