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IPD80R4K5P7ATMA1
- Modelo do Produto:
- IPD80R4K5P7ATMA1
- Descrição:
- MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18039 Pieces
- Ficha de dados:
- IPD80R4K5P7ATMA1.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IPD80R4K5P7ATMA1, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IPD80R4K5P7ATMA1 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 200µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-252 |
| Série: | CoolMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 450 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 13W (Tc) |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | IPD80R4K5P7ATMA1DKR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IPD80R4K5P7ATMA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 80pF @ 500V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 4nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | Super Junction |
| Descrição expandida: | N-Channel 800V 1.5A (Tc) 13W (Tc) Surface Mount TO-252 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 800V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 1.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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