IPG20N10S4L22AATMA1
IPG20N10S4L22AATMA1
Modelo do Produto:
IPG20N10S4L22AATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14059 Pieces
Ficha de dados:
IPG20N10S4L22AATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 25µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TDSON-8-10
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:22 mOhm @ 17A, 10V
Power - Max:60W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:IPG20N10S4L22AATMA1TR
SP001091984
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:26 Weeks
Número de peça do fabricante:IPG20N10S4L22AATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1755pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 60W Surface Mount PG-TDSON-8-10
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20A
Email:[email protected]

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