Comprar IPI50R399CPXKSA2 com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 330µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO262-3 |
| Série: | CoolMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 399 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 83W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Outros nomes: | IPI50R399CP IPI50R399CP-ND SP001109552 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IPI50R399CPXKSA2 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 890pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 500V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 500V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 500V 9A TO-262 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |