Comprar IPI60R299CPXKSA1 com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 440µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO262-3 |
| Série: | CoolMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 299 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 96W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Outros nomes: | IPI60R299CP IPI60R299CP-ND IPI60R299CPAKSA1 IPI60R299CPX IPI60R299CPXK SP000103249 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | IPI60R299CPXKSA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 600V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |