Comprar IPI80P03P4L04AKSA1 com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 253µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO262-3 |
| Série: | OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 4.4 mOhm @ 80A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 137W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Outros nomes: | IPI80P03P4L-04 IPI80P03P4L-04-ND SP000396318 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 14 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IPI80P03P4L04AKSA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 11300pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 160nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | P-Channel 30V 80A (Tc) 137W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |