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IPL60R650P6SATMA1
- Modelo do Produto:
- IPL60R650P6SATMA1
- Descrição:
- MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14737 Pieces
- Ficha de dados:
- IPL60R650P6SATMA1.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IPL60R650P6SATMA1, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IPL60R650P6SATMA1 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 200µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-ThinPak (5x6) |
| Série: | CoolMOS™ P6 |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 650 mOhm @ 2.4A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 56.8W (Tc) |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | 8-PowerTDFN |
| Outros nomes: | IPL60R650P6SATMA1DKR |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IPL60R650P6SATMA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 557pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 600V 6.7A (Tc) 56.8W (Tc) Surface Mount 8-ThinPak (5x6) |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 600V 8THINPAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 6.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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