Comprar IPP03N03LB G com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO220-3-1 |
| Série: | OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 3.1 mOhm @ 55A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 150W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
| Outros nomes: | IPP03N03LB G-ND IPP03N03LBGIN IPP03N03LBGX IPP03N03LBGXK SP000074721 SP000680786 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | IPP03N03LB G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 7624pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 59nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 30V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |