Comprar IPP08CN10N G com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 130µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO-220-3 |
| Série: | OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 8.5 mOhm @ 95A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 167W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
| Outros nomes: | IPP08CN10N G-ND IPP08CN10NGIN IPP08CN10NGX IPP08CN10NGXK SP000096465 SP000680844 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | IPP08CN10N G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 6660pF @ 50V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 100nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 100V 95A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 100V 95A TO-220 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 95A (Tc) |
| Email: | [email protected] |