IPP50R190CE
IPP50R190CE
Modelo do Produto:
IPP50R190CE
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12525 Pieces
Ficha de dados:
IPP50R190CE.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 510µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO-220-3
Série:CoolMOS™ CE
RDS ON (Max) @ Id, VGS:190 mOhm @ 6.2A, 13V
Dissipação de energia (Max):127W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:IPP50R190CEXKSA1
SP000850802
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:IPP50R190CE
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1137pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:6.1nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 500V 18.5A (Tc) 127W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):13V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição:MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:18.5A (Tc)
Email:[email protected]

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