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IPP80R1K4P7XKSA1
- Modelo do Produto:
- IPP80R1K4P7XKSA1
- Descrição:
- MOSFET N-CH 800V 4A TO220
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19910 Pieces
- Ficha de dados:
- IPP80R1K4P7XKSA1.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IPP80R1K4P7XKSA1, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IPP80R1K4P7XKSA1 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 70µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO-220-3 |
| Série: | CoolMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 32W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
| Outros nomes: | SP001422718 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IPP80R1K4P7XKSA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 500V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | Super Junction |
| Descrição expandida: | N-Channel 800V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 800V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 800V 4A TO220 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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