IPS80R1K4P7AKMA1
IPS80R1K4P7AKMA1
Modelo do Produto:
IPS80R1K4P7AKMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12527 Pieces
Ficha de dados:
IPS80R1K4P7AKMA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 700µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO251-3
Série:CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Dissipação de energia (Max):32W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Outros nomes:SP001422736
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IPS80R1K4P7AKMA1
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Super Junction
Descrição expandida:N-Channel 800V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição:MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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