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IRD3CH101DB6
- Modelo do Produto:
- IRD3CH101DB6
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 13497 Pieces
- Ficha de dados:
- IRD3CH101DB6.pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 2.7V @ 200A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 1200V (1.2kV) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Die |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 360ns |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | Die |
| Outros nomes: | SP001535420 |
| Temperatura de Operação - Junção: | -40°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | IRD3CH101DB6 |
| Descrição expandida: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 200A Surface Mount Die |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 3.6µA @ 1200V |
| Atual - rectificada média (Io): | 200A |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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