IRF540NLPBF
IRF540NLPBF
Modelo do Produto:
IRF540NLPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18616 Pieces
Ficha de dados:
IRF540NLPBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-262
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:44 mOhm @ 16A, 10V
Dissipação de energia (Max):130W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes:*IRF540NLPBF
SP001571292
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Número de peça do fabricante:IRF540NLPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1960pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:71nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 33A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-262
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:33A (Tc)
Email:[email protected]

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