IRF5803D2
IRF5803D2
Modelo do Produto:
IRF5803D2
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
13222 Pieces
Ficha de dados:
IRF5803D2.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:FETKY™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:112 mOhm @ 3.4A, 10V
Dissipação de energia (Max):2W (Ta)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRF5803D2
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1110pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:37nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:Schottky Diode (Isolated)
Descrição expandida:P-Channel 40V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.4A (Ta)
Email:[email protected]

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