IRF60B217
IRF60B217
Modelo do Produto:
IRF60B217
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 60A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19830 Pieces
Ficha de dados:
IRF60B217.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.7V @ 50µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:StrongIRFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9 mOhm @ 36A, 10V
Dissipação de energia (Max):83W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:SP001571396
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Número de peça do fabricante:IRF60B217
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2230pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:66nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 60A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 60A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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