IRF6629TRPBF
IRF6629TRPBF
Modelo do Produto:
IRF6629TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17250 Pieces
Ficha de dados:
IRF6629TRPBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DIRECTFET™ MX
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.1 mOhm @ 29A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.8W (Ta), 100W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:DirectFET™ Isometric MX
Outros nomes:IRF6629TRPBFTR
SP001526802
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRF6629TRPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4260pF @ 13V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:51nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 25V 29A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição:MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:29A (Ta), 180A (Tc)
Email:[email protected]

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