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IRF6709S2TRPBF
- Modelo do Produto:
- IRF6709S2TRPBF
- Descrição:
- MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16322 Pieces
- Ficha de dados:
- IRF6709S2TRPBF.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IRF6709S2TRPBF, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IRF6709S2TRPBF por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.35V @ 25µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DIRECTFET S1 |
| Série: | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 7.8 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 1.8W (Ta), 21W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | DirectFET™ Isometric S1 |
| Outros nomes: | SP001530266 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | IRF6709S2TRPBF |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1010pF @ 13V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 25V 12A (Ta), 39A (Tc) 1.8W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 25V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta), 39A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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