Comprar IRF820L com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | I2PAK |
Série: | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 3 Ohm @ 1.5A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 3.1W (Ta), 50W (Tc) |
Embalagem: | Tube |
Caixa / Gabinete: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Outros nomes: | *IRF820L |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Through Hole |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante: | IRF820L |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 360pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 24nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 500V 2.5A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I2PAK |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 500V |
Descrição: | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |