Comprar IRF8306MTR1PBF com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 2.35V @ 100µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | DIRECTFET™ MX |
Série: | HEXFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 2.5 mOhm @ 23A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 2.1W (Ta), 75W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | DirectFET™ Isometric MX |
Outros nomes: | IRF8306MTR1PBFTR SP001551608 |
Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante: | IRF8306MTR1PBF |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4110pF @ 15V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | Schottky Diode (Body) |
Descrição expandida: | N-Channel 30V 23A (Ta), 140A (Tc) 2.1W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
Descrição: | MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 23A (Ta), 140A (Tc) |
Email: | [email protected] |