IRFB9N30A
IRFB9N30A
Modelo do Produto:
IRFB9N30A
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
14427 Pieces
Ficha de dados:
1.IRFB9N30A.pdf2.IRFB9N30A.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:450 mOhm @ 5.6A, 10V
Dissipação de energia (Max):96W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:*IRFB9N30A
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRFB9N30A
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:920pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 300V 9.3A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
Escorra a tensão de fonte (Vdss):300V
Descrição:MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.3A (Tc)
Email:[email protected]

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