IRFH3707TR2PBF
IRFH3707TR2PBF
Modelo do Produto:
IRFH3707TR2PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18659 Pieces
Ficha de dados:
IRFH3707TR2PBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 25µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-PQFN (3x3)
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:12.4 mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.8W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:IRFH3707TR2PBFTR
SP001566048
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRFH3707TR2PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:755pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8.1nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 12A (Ta), 29A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 29A (Tc)
Email:[email protected]

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