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IRFH5302DTRPBF
- Modelo do Produto:
- IRFH5302DTRPBF
- Descrição:
- MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16754 Pieces
- Ficha de dados:
- IRFH5302DTRPBF.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IRFH5302DTRPBF, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IRFH5302DTRPBF por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.35V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PQFN (5x6) Single Die |
| Série: | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 2.5 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-PowerVDFN |
| Outros nomes: | SP001570962 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IRFH5302DTRPBF |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3635pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 30V 29A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 29A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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