IRFHE4250DTRPBF
IRFHE4250DTRPBF
Modelo do Produto:
IRFHE4250DTRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16474 Pieces
Ficha de dados:
IRFHE4250DTRPBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 35µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:32-PQFN (6x6)
Série:FASTIRFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.75 mOhm @ 27A, 10V
Power - Max:156W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:32-PowerWFQFN
Outros nomes:IRFHE4250DTRPBF-ND
IRFHE4250DTRPBFTR
SP001564116
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):2 (1 Year)
Número de peça do fabricante:IRFHE4250DTRPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1735pF @ 13V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 86A, 303A 156W Surface Mount 32-PQFN (6x6)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição:MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:86A, 303A
Email:[email protected]

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