Comprar IRFN214BTA_FP001 com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92-3 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 2 Ohm @ 300mA, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 1.8W (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Box (TB) |
| Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | IRFN214BTA_FP001 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 275pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 250V 600mA (Ta) 1.8W (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 250V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 600mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |