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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRFR1N60APBF
IRFR1N60APBF
IRFR1N60APBF
Modelo do Produto:
IRFR1N60APBF
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18891 Pieces
Ficha de dados:
IRFR1N60APBF.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D-Pak
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:7 Ohm @ 840mA, 10V
Dissipação de energia (Max):36W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:11 Weeks
Número de peça do fabricante:IRFR1N60APBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:229pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.4A (Tc)
Email:[email protected]

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