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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRFSL9N60ATRR
IRFSL9N60ATRR
IRFSL9N60ATRR
Modelo do Produto:
IRFSL9N60ATRR
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
17184 Pieces
Ficha de dados:
IRFSL9N60ATRR.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I2PAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:750 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):170W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRFSL9N60ATRR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:49nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole I2PAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.2A (Tc)
Email:[email protected]

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