Comprar IRFU3410 com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | IPAK (TO-251) |
Série: | HEXFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 39 mOhm @ 18A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 3W (Ta), 110W (Tc) |
Embalagem: | Tube |
Caixa / Gabinete: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Outros nomes: | *IRFU3410 Q1434118 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Through Hole |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante: | IRFU3410 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1690pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 56nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 100V 31A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
Descrição: | MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 31A (Tc) |
Email: | [email protected] |