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IRG8CH106K10F
- Modelo do Produto:
- IRG8CH106K10F
- Descrição:
- IGBT 1200V 110A DIE
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17809 Pieces
- Ficha de dados:
- IRG8CH106K10F.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IRG8CH106K10F, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IRG8CH106K10F por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 2V @ 15V, 110A |
| Condição de teste: | 600V, 110A, 1 Ohm, 15V |
| Td (ligar / desligar) @ 25 ° C: | 80ns/380ns |
| Alternando Energia: | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Die |
| Série: | - |
| Power - Max: | - |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | Die |
| Outros nomes: | SP001537432 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Número de peça do fabricante: | IRG8CH106K10F |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | - |
| portão de carga: | 700nC |
| Descrição expandida: | IGBT 1200V Surface Mount Die |
| Descrição: | IGBT 1200V 110A DIE |
| Atual - Collector Pulsada (ICM): | - |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | - |
| Email: | [email protected] |
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