IRL60S216
IRL60S216
Modelo do Produto:
IRL60S216
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 195A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14514 Pieces
Ficha de dados:
IRL60S216.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Série:HEXFET®, StrongIRFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.95 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max):375W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:IRL60S216TR
SP001573906
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Número de peça do fabricante:IRL60S216
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:15330pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:255nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 195A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:195A (Tc)
Email:[email protected]

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