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IRLD110PBF
- Modelo do Produto:
- IRLD110PBF
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrição:
- MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18631 Pieces
- Ficha de dados:
- IRLD110PBF.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IRLD110PBF, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IRLD110PBF por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 540 mOhm @ 600mA, 5V |
| Dissipação de energia (Max): | 1.3W (Ta) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Outros nomes: | *IRLD110PBF |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IRLD110PBF |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.1nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4V, 5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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