IRLS630A
Modelo do Produto:
IRLS630A
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 6.5A TO-220F
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15559 Pieces
Ficha de dados:
1.IRLS630A.pdf2.IRLS630A.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:400 mOhm @ 3.25A, 5V
Dissipação de energia (Max):36W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRLS630A
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:755pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 200V 6.5A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição:MOSFET N-CH 200V 6.5A TO-220F
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.5A (Tc)
Email:[email protected]

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