IRLU3717PBF
IRLU3717PBF
Modelo do Produto:
IRLU3717PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14113 Pieces
Ficha de dados:
IRLU3717PBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.45V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-Pak
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max):89W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes:*IRLU3717PBF
SP001573078
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRLU3717PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2830pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:31nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 20V 120A (Tc) 89W (Tc) Through Hole I-Pak
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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