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IXDI602SI
- Modelo do Produto:
- IXDI602SI
- Fabricante:
- IXYS Integrated Circuits Division
- Descrição:
- 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15495 Pieces
- Ficha de dados:
- IXDI602SI.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IXDI602SI, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IXDI602SI por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Fornecimento: | 4.5 V ~ 35 V |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SOIC-EP |
| Série: | - |
| Aumento / tempo de queda (típico): | 7.5ns, 6.5ns |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequência de entrada: | 2 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 7 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IXDI602SI |
| Tensão lógica - VIL, VIH: | 0.8V, 3V |
| Tipo de entrada: | Inverting |
| Tipo de portão: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Descrição expandida: | Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC-EP |
| Configuração Driven: | Low-Side |
| Descrição: | 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT |
| Corrente - Saída de Pico (Fonte, Pia): | 2A, 2A |
| Base-saturação do emissor Tensão (Max): | Independent |
| Email: | [email protected] |
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